数据列表：IPD135N03L G

标准包装：1,500

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 单

系列：OptiMOS??

包装：管件

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：30A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：13.5 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：10nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1000pF @ 15V

功率 - 最大值：31W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

供应商器件封装：PG-TO251-3

其它名称：IPS135N03LGAKMA1IPS135N03LGINIPS135N03LGXKSP000257455SP000788220